在 365 nm 這一關鍵波段，日本 CCS 公司推出的 165-SHU 超高高壓汞燈光源正以“小體積、高亮度、低成本"的優勢，成為 200 mm 以下晶圓、MEMS、功率器件及半導體晶圓電子封裝線的“性價比"曝光 本文結合產線案例，梳理其在半導體行業的三大應用場景與技術亮點。
一、產品核心指標
| 項目 | 規格 |
| ---- | --------------------------------------- |
| 燈管 | 165 W DC 超高壓水銀短弧燈（弧長 1 mm） |
| 輻射強度 | 3 800 mW/cm2（φ5 mm 石英導光、距 10 mm、365 nm） |
| 光譜主峰 | 365 nm（i-line），次峰 405 nm、436 nm |
| 壽命 | 2 000 h（衰減至 60 %） |
| 散熱 | 強制風冷 + 熱斷路器雙重保護 |
| 重量 | 5.5 kg，可桌面或 19'' 機架安裝 |
短弧 1 mm 的設計，使光學系統可將出光口聚焦到 <30 µm 光斑，為 2 µm 級線寬圖形提供了足夠的分辨率余量
二、半導體行業三大應用
1. 光刻與圖形轉移
2. UV 固化與電子封裝
3. 缺陷檢測與工藝監控
三、技術優勢解讀
“小弧長"帶來高分辨率200 atm 超高壓下，弧長被壓縮至 1 mm，相當于點光源；配合非球面聚光鏡，數值孔徑 NA 0.25 即可在掩模面獲得 30 µm 光斑，滿足 2 µm 線寬曝光需求
。
寬譜輸出，材料適配性高
315–420 nm 連續譜線，可兼容 g-line（436 nm）傳統膠與 i-line（365 nm）高分辨膠，為工藝升級提供“一燈多用"可能。
低成本、低風險
汞燈光學系統無需 CaF? 透鏡或高純氮氣，整機維護僅需更換燈模塊與濾光片，單年運營成本 <1/10 同波段 DUV 激光器。
即開即用，產線節拍友好
電子穩流電源預熱 90 s 可達光強穩定，比金屬鹵素燈縮短 50 %；內置小時計數與電流監控，方便預測性維護。
四、結語
當節點不斷向 EUV 推進時，90 % 以上的“非關鍵層"仍需經濟型 i-line 曝光。日本 CCS 165-SHU 以 3 800 mW/cm2 的 365 nm 峰值輻射、1 mm 短弧、風冷一體化設計，為 6 英寸及以下晶圓、MEMS、功率器件和MEMS封裝提供了兼具分辨率與成本的“光刻-固化-檢測"三合一解決方案，堪稱半導體后摩爾時代“性價比高的 i-line 光源"之一
更新時間：2026-01-23 
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